半导体激光器发展的第二阶段是异质结构半导体激光器，它是由两种不同带隙的半导体材料薄层，如GaAs,GaAlAs所组成，最先出现的是单异质结构激光器（1969年）.单异质结注人型激光器是利用异质结提供的势垒把注入电子限制在GaAsP一N结的P区之内，以此来降低阀值电流密度，其数值比同质结激光器降低了一个数量级，但单异质结激光器仍不能在室温下连续工作。
光纤激光器是指以掺稀土玻璃光纤为增益介质的激光器，光纤激光器可以在光纤放大器的基础上发展起来：在泵浦光的作用下，很容易在光纤中形成高功率密度，引起激光工作材料的激光能级“粒子数倒置”，当适当增加正反馈回路（构成谐振腔）时，可形成激光振荡输出，然而，这些方法都需要经过精密的腔体设计以及复杂的制备工艺，此外，利用这些方法实现的单模输出不具备可逆性，而实现动态、可持续单模激光输出仍缺乏有效的研究方案。
激光器是产生激光的装置，一般由三个部分组成：工作物质这是激光器的核心，只有能实现能级跃迁的物质才能作为激光器的工作物质，目前，激光工作物质已有数千种，激光波长已由x光远至红外光，例如氦氖激光器中，通过氦原子的协助，使氖原子的两个能级实现粒子数反转；除此之外,全固体绿光激光器还在光存储、信息处理、激光光谱与全息、相干通讯、激光娱乐、激光雷达、干涉测量、光学数据存储、军事工业等领域也有着广泛的应用。
